Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC028N06NSSCATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC028N06NS
BSC028N06NSSCATMA1 Hakkında
BSC028N06NSSCATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 100A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount TDSON-8 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücüler ve anahtarlama regülatörleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3375 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok