Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC027N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC027N10NS5
BSC027N10NS5ATMA1 Hakkında
BSC027N10NS5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajında çalışan bu bileşen, 25°C'de 23A (ortam sıcaklığında) ve 100A (alaşım sıcaklığında) sürekli dren akımı sağlar. 2.7mΩ maksimum gate-source direncine sahip olan BSC027N10NS5ATMA1, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC konverterleri ve ağır yük anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. 8-PowerTDFN paketinde sunulan ürün, -55°C ile 175°C arasında güvenli şekilde çalışır ve maksimum 214W güç dağıtabilir. Gate şarj değeri 111nC (10V'ta) olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Düşük paket direnci sayesinde verimli enerji dönüşümü sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 111 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8200 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSON-8-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 146µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok