Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC027N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC027N06LS5
BSC027N06LS5ATMA1 Hakkında
BSC027N06LS5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajı ve 100A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılan yüksek akım anahtarlamaya uygun bir komponenttir. 2.7mΩ düşük on-direnç değeri (10V gate voltajında 50A akımda) ile enerji kaybını minimize eder. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, motor kontrol, AC/DC konvertörleri, güç yönetimi ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Surface mount 8-PowerTDFN paket tipinde sunulan bileşen, kompakt ve verimli tasarımlar için idealdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4400 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 49µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok