Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC027N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC027N04LS
BSC027N04LSGATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC027N04LSGATMA1, 40V drain-source voltaj ile çalışan N-Channel MOSFET'tir. Surface mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu transistör, 24A sürekli (Ta 25°C) ve 100A tepe (Tc) drain akımı kapasitesine sahiptir. 2.7mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlayan komponent, güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve battery management sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate-source voltajına ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 85nC gate charge ve 6800pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama uygulamaları için uygun özellikleri ifade eder.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6800 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 49µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok