Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC027N03S G
MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC027N03S
BSC027N03S G Hakkında
BSC027N03S G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 25A sürekli (Ta) ve 100A (Tc) akım kapasitesine sahiptir. 2.7mΩ çok düşük on-resistance değeri ile güç uygulamalarında verimli çalışır. TDSON-8 yüzey montaj paketinde gelen bu transistör, motorlar, DC-DC dönüştürücüler, güç invertörleri ve switching uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Hızlı anahtarlama karakteristiği ve düşük kapasitans değerleri ile yüksek frekanslı devrelerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6540 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok