Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC026NE2LS5ATMA1

MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC026NE2LS5ATMA1

BSC026NE2LS5ATMA1 Hakkında

Infineon Technologies BSC026NE2LS5ATMA1, N-channel MOSFET transistör olup 25V drain-source gerilim aralığında çalışır. 24A (Ta) / 82A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük akım uygulamalarından orta güç seviyesi devrelere kadar geniş kullanım alanına sahiptir. 2.6mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli enerji dönüştürme sağlar. Surface mount TDSON-8 paketinde sunulan bu transistör, motor sürücüleri, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve LED sürücü uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışma sıcaklık aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Ta), 82A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 12 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-7
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok