Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC026N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC026N08NS5
BSC026N08NS5ATMA1 Hakkında
BSC026N08NS5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V Drain-Source voltaj kapasitesi ile 23A (Ta) / 100A (Tc) sürekli drain akımı sağlar. 2.6mΩ düşük RDS(on) değeri ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. Surface Mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, şarj yönetimi ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate voltajı ve 3.8V eşik voltajı ile TTL/CMOS sürücülerle doğrudan uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6800 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 115µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok