Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC026N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC026N04LS
BSC026N04LSATMA1 Hakkında
BSC026N04LSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj (Vdss) ve 23A sürekli drenaj akımı ile güç yönetimi, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.6mΩ on-resistance değeri ile düşük ısıl kayıplar sağlar. PowerTDFN-8 paketinde sunulan bu bileşen, geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-55°C ile 150°C) stabil performans gösterir. Switch-mode güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve load switch uygulamalarında yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok