Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC026N02KSGAUMA1
MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC026N02KSG
BSC026N02KSGAUMA1 Hakkında
BSC026N02KSGAUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel power MOSFET'tir. 20V drain-source gerilimi ve 25A sürekli akım kapasitesine (Ta'da) veya 100A kapasitesine (Tc'de) sahiptir. 2.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-PowerTDFN yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC konvertörlerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 4.5V gate voltajında optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7800 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 50A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok