Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC025N08LS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC025N08LS5
BSC025N08LS5ATMA1 Hakkında
BSC025N08LS5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 100A sürekli akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 2.5mOhm (10V, 50A) düşük RDS(on) direnci sayesinde ısıl kayıpları minimize eder. TDSON-8-7 (PowerTDFN) yüzey montaj paketinde sunulur. Güç dönüştürme devreleri, DC-DC konverterler, motor sürücüleri ve batarya yönetim sistemleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında kararlı performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7500 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 115µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok