Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC024NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 25A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC024NE2LS
BSC024NE2LSATMA1 Hakkında
BSC024NE2LSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 25A (Ta) / 100A (Tc) drain akımı ile çalışır. 2.4mΩ Rds(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. Surface mount 8-PowerTDFN pakette sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve 2.5W (Ta) / 48W (Tc) güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok