Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC022N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC022N04LS
BSC022N04LSATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC022N04LSATMA1, 40V maksimum drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel Power MOSFET'tir. 100A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamalarında kullanılmaya elverişlidir. 2.2mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük iletim kayıpları sağlar. Surface Mount TDSON-8-6 paketinde sunulan komponent, motor kontrol, güç dönüştürücüler, anahtarlama uygulamaları ve DC/DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. 37nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özellikleri ile karakterize edilen bu MOSFET, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok