Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC022N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC022N04LS6
BSC022N04LS6ATMA1 Hakkında
BSC022N04LS6ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim kapasitesi ile 27A sürekli akım (Ta) ve 100A puls akım (Tc) sağlayabilir. 2.2mOhm düşük on-resistance değeri sayesinde enerji kaybını minimize eder. 8-PowerTDFN pakajda sunulan bu bileşen, güç dönüştürme, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate gerilim ile kontrol edilebilir ve -55°C ile 175°C arasında çalışır. Surface mount montajı ile otomatik üretim süreçlerine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok