Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC021N08NS5ATMA1
MOSFET TRENCH 80V TSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC021N08NS5
BSC021N08NS5ATMA1 Hakkında
BSC021N08NS5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 80V N-Channel MOSFET transistördür. Trench teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, 100A sürekli dren akımı sağlayarak güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 2.1mOhm (10V, 50A) düşük on-state direnci ile verimli çalışır. TSON-8 (8-PowerTDFN) paketinde sunulan komponent, yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve elektrik güç yönetim sistemlerinde yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 214W maksimum güç tüketimi kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8600 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSON-8-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 146µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok