Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC019N08NS5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC019N08NS5
BSC019N08NS5ATMA1 Hakkında
BSC019N08NS5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilimi ve 28A sürekli dren akımı ile tasarlanan bu bileşen, düşük on-state direnci (1.9mΩ @ 50A, 10V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. PG-TSON-8 paketinde sunulan transistör, -55°C ile +175°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate-source gerilimi ±20V limitli olup, 117nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon sağlar. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve motor kontrolü gibi alanlarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Ta), 237A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8600 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSON-8-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 146µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok