Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC019N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC019N06NS
BSC019N06NSATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC019N06NSATMA1, 60V drenaj-kaynak gerilimi ile tasarlanmış bir N-Channel MOSFET transistördür. 100A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 1.95mΩ düşük RDS(on) değeri ile yüksek verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TDSON-8 FL paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, batarya yönetim sistemleri ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yer alır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, otomotiv ve endüstriyel uygulamalara uygunluğunu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 77 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5250 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 74µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok