Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC019N02KSGAUMA1
MOSFET N-CH 20V 30A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC019N02KS
BSC019N02KSGAUMA1 Hakkında
BSC019N02KSGAUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ile 30A sürekli akım (Ta) veya 100A (Tc) kapasitesinde çalışır. Düşük Rds(on) değeri (1.95mOhm @ 50A, 4.5V) ile enerji kaybını minimize eder. Surface Mount 8-PowerTDFN pakette sunulan bu bileşen, anahtarlama güç uygulamaları, motor kontrolü, güç dönüştürücüleri ve DC-DC regülatörlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı endüstriyel uygulamalar için uygundur. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95mOhm @ 50A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 350µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok