Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC018NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC018NE2LS
BSC018NE2LSATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC018NE2LSATMA1, 25V drain-source gerilim kapasitesine sahip bir N-Channel MOSFET transistörüdür. 100A sürekli drenaj akımı (Tc şartlarında) ve 29A (Ta şartlarında) desteği ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 1.8mOhm düşük on-state direnci sayesinde enerji kaybı minimum seviyede tutulur. 8-PowerTDFN SMD paketinde sunulan bu bileşen, anahtar modlu güç kaynakları, motor kontrolü, LED sürücüleri, güç dönüştürücüleri ve enerji yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve hızlı anahtar geçişi özelliği ile compact ve verimli tasarımları destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok