Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC017N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC017N04NSG
BSC017N04NSGATMA1 Hakkında
BSC017N04NSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj ve 30A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 8-PowerTDFN yüzey montajlı paketin 1.7mΩ düşük on-state direnci, anahtarlama uygulamalarında güç kaybını minimize eder. 108nC gate charge ve 8800pF input capacitance ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Motor kontrolleri, DC-DC konvertörleri, oto anahtarlamalı power supply devreleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate voltajı ve -55°C ile 150°C geniş çalışma sıcaklık aralığı ile güvenilir işletim sağlar. Bileşen artık üretimden kaldırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 108 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8800 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 85µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok