Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC016N06NSSCATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-WSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC016N06NSS
BSC016N06NSSCATMA1 Hakkında
BSC016N06NSSCATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 60V N-Channel MOSFET transistördür. Trench teknolojisi ile üretilmiş bu bileşen, 234A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 1.6mΩ (10V, 50A koşullarında) on düşük RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. PG-WSON-8 yüzey montaj paketine sahip olan komponentin maksimum güç yayılımı 167W'tır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüler ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 234A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6500 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 95µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok