Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC016N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC016N03MSG
BSC016N03MSGATMA1 Hakkında
BSC016N03MSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 28A sürekli (Ta), 100A puls (Tc) kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 1.6mΩ maksimum on-state direnç (Rds(on)) sayesinde enerji verimliliği sağlar. Güç yönetimi, motor kontrol, LED sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 8-PowerTDFN yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 173 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13000 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok