Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC016N03LSGATMA1/BK
BSC016N03LSGATMA1/BK
- Üretici
- WEC
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC016N03LS
BSC016N03LSGATMA1/BK Hakkında
BSC016N03LSGATMA1/BK, Infineon (WEC) tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajı ve 100A (Tc) sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 1.6mOhm on-resistance (Rds On) değeri sayesinde düşük güç kaybı sağlar. Surface Mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol sistemleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 131nC gate charge ve düşük kapasitans değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 131 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10000 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok