Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC015NE2LS5IATMA1
MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC015NE2LS5
BSC015NE2LS5IATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC015NE2LS5IATMA1, 25V drain-source voltajına sahip N-Channel MOSFET transistördür. Düşük RDS(On) değeri (1.5mΩ @ 30A, 10V) ile yüksek akım yönetimini destekler. 33A sürekli drain akımı (Ta) ve 100A (Tc) kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. ±16V gate voltaj aralığında çalışan bu bileşen, motor kontrol, DC-DC dönüştürücü, güç anahtarı ve yük yönetimi gibi uygulamalarda tercih edilir. 8-PowerTDFN paketinde sunulan BSC015NE2LS5IATMA1, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok