Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC014NE2LSIATMA1
MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC014NE2LSI
BSC014NE2LSIATMA1 Hakkında
BSC014NE2LSIATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source voltajı ve 33A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Surface Mount TDSON-8 paketlemesiyle PCB entegrasyonu için optimize edilmiş tasarıma sahiptir. Düşük Rds(on) değeri (1.4mOhm @ 30A, 10V) ile ısıl kayıpları minimize eder. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) stabil performans gösterir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, battery management sistemleri ve DC-DC konvertörleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok