Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC014N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC014N06NS
BSC014N06NSATMA1 Hakkında
BSC014N06NSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında çalışabilen bu komponent, sürücü devrelerinde maksimum 10V gate voltajında 30A sürekli drenaj akımı sağlar. İkinci kaynakta 100A akım kapasitesine sahiptir. 1.45mΩ düşük on-resistance değeri ile güç kayıplarını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilen, PG-TDSON-8-17 paketinde sunulan bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler ve güç yönetimi devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Düşük gate charge özelliği hızlı anahtarlama ve verimli işletme imkanı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 89 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6500 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.45mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-17 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 120µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok