Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC014N04LSIATMA1

MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC014N04LS

BSC014N04LSIATMA1 Hakkında

BSC014N04LSIATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 40V drain-source gerilimi ile tasarlanan bu bileşen, sürekli 31A (Ta) veya 100A (Tc) drain akımında çalışabilir. Düşük on-direnç (RdsOn) değeri olan 1.45mOhm (@ 50A, 10V) sayesinde enerji verimliliği sağlar. 8-PowerTDFN paketi içerisinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve ağır akım anahtarlama devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, 96W'ye kadar ısıl güç dağılımı yapabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A (Ta), 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.45mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8 FL
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok