Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC014N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC014N03MSG
BSC014N03MSGATMA1 Hakkında
BSC014N03MSGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ile 30A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (1.4mOhm @ 30A, 10V) sayesinde güç uygulamalarında enerji kaybını minimize eder. 8-PowerTDFN SMD paketinde sunulan komponent, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve anahtar uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±20V gate voltaj aralığında çalışabilen transistör, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Düşük gate charge (173 nC) hızlı switching için avantajlıdır. Komponent obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 173 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13000 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok