Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC014N03LSGATMA1
BSC014N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC014N03
BSC014N03LSGATMA1 Hakkında
BSC014N03LSGATMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 34A (Ta) / 100A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 1.4mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-PowerTDFN yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, pil yönetim sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 139W'a kadar ısıl gücü barındırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 131 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10000 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok