Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC012N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC012N06NS
BSC012N06NSATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC012N06NSATMA1, 60V drain-source geriliminde çalışan N-channel MOSFET transistördür. 36A sürekli drenaj akımına (Ta) ve maksimum 214W güç dağılımına kapasitedir. 1.2mΩ düşük on-dirençi (Rds On) sayesinde enerji kaybını minimize eder. TSON-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sağlar. 143nC gate yükü ve 11000pF giriş kapasitansı hızlı anahtarlama uygulamaları için önemlidir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve yük anahtarlaması gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Ta), 306A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 143 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSON-8-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 147µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok