Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC011N03LSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC011N03LS
BSC011N03LSIATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC011N03LSIATMA1, 30V drain-source voltajında çalışan N-Channel MOSFET transistördür. Sürekli drenaj akımı Ta=25°C'de 37A, Tc'de ise 100A'e ulaşan bu komponent, düşük on-resistance değeri (1.1mOhm @ 30A, 10V) sayesinde verimliliği artırmaktadır. Surface Mount paket tipi ile 8-PowerTDFN kasa biçiminde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Gate charge değeri 68nC olan bu MOSFET, güç dönüştürücü uygulamalar, sürücü devreleri, anahtarlama uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4300 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok