Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC010NE2LSIATMA1
MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC010NE2LSIATMA1
BSC010NE2LSIATMA1 Hakkında
BSC010NE2LSIATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilimi ile 38A (Ta) / 100A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 1.05mOhm (10V, 30A'da) son derece düşük on-resistance değeri sayesinde güç kaybını minimize eder. 8-PowerTDFN yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 59nC gate charge ve 4200pF input capacitance ile hızlı anahtarlama performansı sunar. ±20V gate-source gerilim aralığında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4200 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok