Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC010NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC010NE2LS
BSC010NE2LSATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC010NE2LSATMA1, 25V drain-source voltajında çalışan N-Channel MOSFET transistördür. Sürekli 100A drain akımı kapasitesi (Tc'de) ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 1mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısıl kayıplar sağlar. Surface mount 8-PowerTDFN pakajında sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç dönüştürme, motor kontrol, LED sürücüleri ve batarya yönetim sistemleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 39A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4700 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok