Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC010N04LSIATMA1
MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC010N04LS
BSC010N04LSIATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC010N04LSIATMA1, 40V drain-source gerilimi ve 100A (Tc) maksimum drain akımı ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 1.05mΩ düşük RDS(on) direnci ve entegre Schottky diyot özelliği sayesinde güç dönüştürme uygulamalarında verimli çalışma sağlar. Surface mount 8-pin PowerTDFN paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında güvenilir işletim yapar. DC-DC konvertörler, motor sürücüleri, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 87nC gate charge ve düşük input kapasitansi hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Body) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6200 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok