Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSC010N04LSATMA1

MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSC010N04LS

BSC010N04LSATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen BSC010N04LSATMA1, 40V Drain-Source gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. 1mΩ tipik RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sunan bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Geniş -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında, 2.5W (Ta) ve 139W (Tc) maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. PowerTDFN 8-pin surface mount paketinde sunulan BSC010N04LSATMA1, DC-DC konvertörleri, motor sürücüler, LED sürücüler ve endüstriyel kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 38A (Ta), 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8 FL
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok