Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC009NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC009NE2LS
BSC009NE2LSATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC009NE2LSATMA1, 25V drain-source gerilim rating'i ile tasarlanmış N-Channel MOSFET'tir. 41A sürekli dren akımı (Ta @ 25°C) ve 100A akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. 0.9mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. 8-PowerTDFN yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, güç kaynakları ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 41A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 126 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5800 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok