Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC009NE2LS5ATMA1
MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC009NE2LS5ATMA1
BSC009NE2LS5ATMA1 Hakkında
BSC009NE2LS5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V Drain-Source gerilim desteği ile 41A (Ta) veya 100A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 0.9mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerTDFN (PG-TDSON-8-7) paketinde surface mount olarak sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve invertör devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, 2.5W (Ta) veya 74W (Tc) maksimum güç dağıtımına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 41A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3900 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok