Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSC004NE2LS5ATMA1
TRENCH <= 40V
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSC004NE2LS5ATMA1
BSC004NE2LS5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSC004NE2LS5ATMA1, 25V drain-source voltajı ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 40A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 0.45mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. 8-pin PowerTDFN paket türü ile yüzey montajı yapılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 238nC gate charge ve 11000pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama davranışı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Ta), 479A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 238 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11000 pF @ 12.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 188W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.45mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok