Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSB280N15NZ3GXUMA1
MOSFET N-CH 150V 9A/30A 2WDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 3-WDSON
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSB280N15NZ3G
BSB280N15NZ3GXUMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSB280N15NZ3GXUMA1, 150V drain-source gerilimi ile çalışan N-channel MOSFET transistördür. 30A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 28mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 3-WDSON yüzeye montaj paketi içinde sunulan transistör, güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 57W güç dağıtım kapasitesiyle yüksek güçlü endüstriyel ve tüketici uygulamalarına uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-WDSON |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 60µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok