Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSB165N15NZ3GXUMA1
MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 3-WDSON
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSB165N15NZ3G
BSB165N15NZ3GXUMA1 Hakkında
BSB165N15NZ3GXUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 150V drain-source voltaj ile 9A (Ta) / 45A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 16.5mOhm maksimum RDS(on) değeri (30A, 10V şartlarında) ile düşük açılış direnci sunar. 3-WDSON surface mount paketinde, -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 35nC (@10V) olup, 2800pF input kapasitansına (75V) sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılan güvenilir bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 45A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-WDSON |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 110µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok