Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSB104N08NP3GXUSA1
MOSFET N-CH 80V 13A/50A 2WDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 3-WDSON
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSB104N08NP3G
BSB104N08NP3GXUSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSB104N08NP3GXUSA1, N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 13A (Ta) / 50A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10.4mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 3-WDSON/CanPAK M™ paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, anahtarlamalı güç kaynakları ve benzer anahtarlama devreleri gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-WDSON |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.4mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok