Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSB056N10NN3GXUMA1
MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 3-WDSON
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSB056N10NN3GXUMA1
BSB056N10NN3GXUMA1 Hakkında
Infineon Technologies BSB056N10NN3GXUMA1, N-Channel MOSFET transistörü olup 100V Drain-Source gerilim (Vdss) ile 9A sürekli drenaj akımı sağlayan yüksek entegrasyonlu bir güç anahtarlama elemanıdır. 3-WDSON (CanPAK M™) paketinde sunulan bu bileşen, 5.6mOhm düşük on-resistance (Rds On) değeri ile enerji tasarrufu sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 78W maksimum güç yayımı kapasitesine sahiptir. Genellikle DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri, güç yönetimi sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V Vgs (Gate-Source voltajı) aralığında stabil çalışma sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 83A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5500 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-WDSON |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok