Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSB044N08NN3GXUMA1
MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 3-WDSON
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSB044N08NN3G
BSB044N08NN3GXUMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSB044N08NN3GXUMA1, 80V drain-source gerilim ile tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 18A sürekli akım kapasitesine (Ta=25°C) ve 90A pulslu akıma (Tc=25°C) sahiptir. 4.4mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ile güç kaybını minimize eder. Surface mount CanPAK M™ paketinde sunulan bu bileşen, -40°C ile +150°C arasında çalışır. 73nC gate charge ve 5700pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri, güç yönetimi ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta), 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5700 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-WDSON |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.2W (Ta), 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 97µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok