Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSB028N06NN3GXUMA1
MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 3-WDSON
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSB028N06NN3G
BSB028N06NN3GXUMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSB028N06NN3GXUMA1, N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim ile çalışabilen bu bileşen, 25°C'de 22A sürekli, 90A darbe akımı sağlayabilir. 2.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısıl direnç sunar ve güç uygulamalarında verimli çalışır. Surface Mount paketlemesi (WDSON-3) ile PCB'lere doğrudan yerleştirilebilir. -40°C ile 150°C arasında güvenle kullanılabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde uygulanır. 10V drive voltajı ile TTL/CMOS mantık seviyeleriyle uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Ta), 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 143 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-WDSON |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.2W (Ta), 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 102µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok