Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSB024N03LX G

MOSFET N-CH 30V 27A/145A 2WDSON

Paket/Kılıf
3-WDSON
Seri / Aile Numarası
BSB024N03LX

BSB024N03LX G Hakkında

BSB024N03LX G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 27A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Güç uygulamalarında, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüleri ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda kullanılır. 2.4mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount WDSON paketinde sunulan bu transistör, -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. Yüksek gate charge ve giriş kapasitans özellikleri hızlı anahtarlama uygulamaları için uygun tasarlanmıştır. Not: Bu ürün yaşam döngüsünü tamamlamış (obsolete) statüdedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Ta), 145A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4900 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 3-WDSON
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package MG-WDSON-2, CanPAK M™
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok