Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSB017N03LX3 G
MOSFET N-CH 30V 32A/147A 2WDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 3-WDSON
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSB017N03LX3
BSB017N03LX3 G Hakkında
BSB017N03LX3 G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 32A sürekli drain akımı (Ta) / 147A (Tc) ile çalışır. 1.7mOhm maksimum on-direnci sayesinde düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 3-WDSON paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi uygulamaları, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 2.8W (Ta) / 57W (Tc) maksimum güç dağılımı kapasitesiyle verimli termal yönetim sağlar. Vgs(th) 2.2V @ 250µA ile düşük gate tetikleme gerilimi gerektiren tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Ta), 147A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 102 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7800 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-WDSON |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok