Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BSB015N04NX3GXUMA1

MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON

Paket/Kılıf
3-WDSON
Seri / Aile Numarası
BSB015N04NX

BSB015N04NX3GXUMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen BSB015N04NX3GXUMA1, 40V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 36A sürekli dren akımı (Ta) ve 180A dürtü akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. 1.5mΩ on-resistance değeriyle düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 3-WDSON (CanPAK M™) paketinde sunulan bileşen, güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücüler gibi geniş kapsamlı endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenli işlem yapması nedeniyle çeşitli çevre koşullarında uygulanabilir. Maksimum 2.8W (Ta) güç dağılımı kapasitesi ile tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 36A (Ta), 180A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12000 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 3-WDSON
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package MG-WDSON-2, CanPAK M™
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok