Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSB012NE2LXIXUMA1
MOSFET N-CH 25V 170A 2WDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 3-WDSON
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSB012NE2
BSB012NE2LXIXUMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSB012NE2LXIXUMA1, düşük RDS(on) değeri ve yüksek akım kapasitesi ile özelleştirilmiş N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 170A sürekli drenaj akımı ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 3-WDSON paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, DC/DC dönüştürücüler ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilmektedir. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen komponent, 1.2mΩ maksimum on-direnç değeri ve 82nC gate charge özelliğine sahiptir. Surface mount montajı ile PCB entegrasyonu kolaydır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 170A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5852 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-WDSON |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok