Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSB012NE2LX
MOSFET N-CH 25V 37A/170A 2WDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 3-WDSON
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSB012NE
BSB012NE2LX Hakkında
BSB012NE2LX, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 37A sürekli dren akımı (Ta) / 170A (Tc) özellikleri ile güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve güç kaynağı tasarımlarında kullanılır. 1.2mOhm maksimum on-direnci ile düşük enerji kaybı sağlar. ±20V gate gerilimi toleransı ve -40°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığı ile geniş uygulama yelpazesine uyum gösterir. WDSON paket tipi ile yüksek ısı dağıtımı ve kompakt tasarım sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37A (Ta), 170A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4900 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-WDSON |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok