Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSB012N03LX3G
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 3-WDSON
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSB012N03LX3G
BSB012N03LX3G Hakkında
BSB012N03LX3G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 30V drain-source voltajına ve 39A sürekli drain akımına sahip bu bileşen, 1.2mΩ (10V, 30A'de) ile düşük on-state direnci sağlar. 3-WDSON (CanPAK M™) paketinde sunulan bu transistör, -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge özellikleri ve düşük input kapasitansı sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri, motor kontrol uygulamaları ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 39A (Ta), 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 169 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16900 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-WDSON |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok