Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BSB012N03LX3 G
MOSFET N-CH 30V 39A/180A 2WDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 3-WDSON
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BSB012N03LX3
BSB012N03LX3 G Hakkında
BSB012N03LX3 G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile tasarlanmış olup, 39A sürekli drenaj akımı (Ta @ 25°C) ve 180A pulse drenaj akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. 1.2mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. Surface mount 3-WDSON paketinde sunulup, -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Maksimum 89W güç saçabilme yeteneğine (Tc) sahip transistördür. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 39A (Ta), 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 169 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16900 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-WDSON |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok